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单晶硅技术压力传感器
双膜片过载防护结构
集成电路与表面封装技术的信号变送模块
显示模块可355°旋转
壳体外隔离磁感应三按键参数设置
耐瞬变电压保护端子模块
测量范围: 10kpa-1mpa
输出信号: 4-20ma, 4~20ma/hart
参考精度: ± 0.5% , ± 0.2%, ± 0.1% url
介质温度: -40-120℃,
测量介质:液体、气体或蒸汽
防护等级: ip67
电源: 4~20ma 二线制, 10.5-55vdc、4~20ma+hart 二线制, 16.5-55vdc
膜片材质: ss316l,哈氏合金 c
年稳定性: ±0.2% url/5年
过程连接: dn50pn10, dn80pn10, dn100pn10
认证: ce, cmc, 防爆认证
单晶硅技术压力传感器
双膜片过载防护结构
集成电路与表面封装技术的信号变送模块
显示模块可355°旋转
壳体外隔离磁感应三按键参数设置
耐瞬变电压保护端子模块
测量范围: 10kPa-1MPa
输出信号: 4-20mA, 4~20mA/HART
参考精度: ± 0.5% , ± 0.2%, ± 0.1% URL
介质温度: -40-120℃,
测量介质:液体、气体或蒸汽
防护等级: IP67
电源: 4~20mA 二线制, 10.5-55vdc、4~20mA+HART 二线制, 16.5-55vdc
膜片材质: SS316L,哈氏合金 C
年稳定性: ±0.2% URL/5年
过程连接: DN50PN10, DN80PN10, DN100PN10
认证: CE, CMC, 防爆认证
单晶硅技术压力传感器
双膜片过载防护结构
集成电路与表面封装技术的信号变送模块
显示模块可355°旋转
壳体外隔离磁感应三按键参数设置
耐瞬变电压保护端子模块
测量范围: 10kPa-1MPa
输出信号: 4-20mA, 4~20mA/HART
参考精度: ± 0.5% , ± 0.2%, ± 0.1% URL
介质温度: -40-120℃,
测量介质:液体、气体或蒸汽
防护等级: IP67
电源: 4~20mA 二线制, 10.5-55vdc、4~20mA+HART 二线制, 16.5-55vdc
膜片材质: SS316L,哈氏合金 C
年稳定性: ±0.2% URL/5年
过程连接: DN50PN10, DN80PN10, DN100PN10
认证: CE, CMC, 防爆认证
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双膜片过载防护结构
集成电路与表面封装技术的信号变送模块
显示模块可355°旋转
壳体外隔离磁感应三按键参数设置
耐瞬变电压保护端子模块
测量范围: 10kPa-1MPa
输出信号: 4-20mA, 4~20mA/HART
参考精度: ± 0.5% , ± 0.2%, ± 0.1% URL
介质温度: -40-120℃,
测量介质:液体、气体或蒸汽
防护等级: IP67
电源: 4~20mA 二线制, 10.5-55vdc、4~20mA+HART 二线制, 16.5-55vdc
膜片材质: SS316L,哈氏合金 C
年稳定性: ±0.2% URL/5年
过程连接: DN50PN10, DN80PN10, DN100PN10
认证: CE, CMC, 防爆认证
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