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连续超纯，零化学再生——为半导体制造构筑离子零容忍的纯化基石
在7nm及以下先进制程中，1个金属离子污染即可导致芯片良率下降0.5%。
我们的离子纯化系统，专为G4/G5级湿电子化学品（TMAH、电子级异丙醇、甲醇、乙醇、NMP等）设计，实现持续产水金属杂质稳定控制在小于 ppt级别，全面满足SEMI标准，为晶圆清洗、蚀刻、显影等关键工艺提供无间断、零污染的超纯介质支持。
针对以下问题效果出众
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- 硼杂质：在异丙醇中，即使≤10 ppt，也会改变MOS晶体管阈值电压，引发漏电失效。
- 金属离子：Fe³⁺、Cu²⁺、Na⁺、K⁺等会在晶圆表面形成电化学腐蚀点，导致短路。
- 颗粒污染：>0.5µm颗粒可堵塞纳米级互连结构，直接造成器件失效。
- 批次一致性：G5级产品要求电阻率波动≤0.1 MΩ·cm。
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