吴中区活性炭吸附设备*常州天之尚环保公司广泛治理于工业废气治理、voc废气治理、焊接烟尘净化、工业粉尘处理、除臭等环境污染治理工程及处理设备的研发应用，公司以*的技术、优秀的设计方案、精良的设备加工能力、专业的施工队伍及完善的售后服务。

另外，成为这样的处理剂的氧化钙，可以通过将成型为粒状的氢氧化10钙为 了脱水而烧成而得到。在这种情况下，适当选择烧成温度或者时 间， 由此还可以在一次粒子内部残留氢氧化钙。
进而，成为这样的处理剂的氧化钙，可以通过将氧化钙利用水合反应 而转换成氢氧化钙之后，对该氢氧化钙进行再烧成而得到 。这是因为 ，反 复进行钙的氧化与氢氧化，使得在维持一次粒子结构的情况下，利用摩尔巴体积的不同而在一次粒子的表面有效地形成微细孔。
在本设备 的废气的处理方法中，使由半导体制造装置所排出废气，在 气态下，直接与上述的废气处理剂以气相方式接触。由此，废气中的有害 气体成分与废气处理剂表面的氢氧化钙发生反应而被除去。废气中的毒性 气体成分为 ，例如，可以列举B、Al、Ga、In 、Si 、Ge 、p 、A s 等，属于20元素周期表 中的 IIlb 族、IVb族、或者 Vb 族的元素的氢氧化物及／或卤化物等。
此时的化学反应例如 ，如下所示 。
CF4十2Ca(OH)2→2CaF2 + C02+H20（ 1) SiH4 + Ca (OH) 2 + 202→CaSi03+ 3H2 0（ 2 )2s2PH 3 十 3Ca( OH)2 + 402 →Ca 3(P04 )2十6H 20（ 3 )在废气中不含氧的情况下，在反应式 （ 2 ）、 ( 3） 中的氧，另由外部 来供氧。此时维持的优选温度 （ 处理温度> 为 400 ℃以下。因为若钙温度 超过 400 ℃，则处理剂分解而导致控基消失。
这样，由于这些的化学反应是发热反应 ，因此作为优选控制如下：在30处理时不需要加热，反而进行冷却而在规定 的温度下进行 。
月200580003360. 6说明书第6/ 12页本设备的半导体制造装置 ，是用于制造半导体装置 、平板显示器、太 阳能电池、磁性体薄膜等 的装置 ，是指利用化学气相沉积 （CVD） 反应制 造这些的装置 。
本设备 的废气处理装置 ，例如 ，如图 l所示 ，由以下部分构成：反应5除去部1：废气处理剂 2，其填充在该反应除去部 1 内，且由氧化钙构成： 导入管 3，其将需要处理的废气导入到反应除去部 1 内：导出管 4，其由 反应除去部 l 排出己除去有害气体成分的废气：以及供氧管 5，其与导入 管 3 连接 ，向反应除去部 l 供氧。
反应除去部 1，由容器 11、以及堵塞该容器 11 的开口部的盖 12 来构10成。容器 11，是由氧化铝 （ alum ina）、 石英等耐蚀性材料构成的有底圆 筒状的部件，在其底部上形成有导出管 5 的开口部，另外设有多孔板 13,以防填充在内部的废气处理剂 2 漏出。
盖 12 ，是由氧化铝、石英等耐蚀性材料来构成的板状的部件，相对于 容器 11以自由装卸的方式安装，根据需要能够更换填充在内部的废气处15理剂 2。另外 ，在盖 12 上形成有导入管 3 的开口部 。
并且，在容器 11 内，填充有上述的粒状的处理剂 2，但此时以使处理 剂的填充率成为 30 70 体积%的方式被填充，使得不阻碍废气的顺畅的 流动 。
来自半导体制造装置 21 的废气，经过导入管 3，导入到反应除去部 120内，在此 ，由上述的化学反应除去有害气体成分 ，被净化的废气由泵 22吸引而从导出管 4排出到系统外部 。
另外，在来 自半导体制造装置 21 的废气中，在含有 s或者 P町等 的除去反应中需要氧的有害气体成分的情况下，从供氧管 5 将适量的氧和 废气共同送入反应除去部 l内。

오중구 활성탄 흡착 설비의 품질은 상주 천지도의 친환경 회사는 광범위하게 산업폐기 관리, voc 폐기, 용접 담배와 먼지 정화 처리, 취제 등 환경 오염 관리 공정 및 처리 설비의 연구 개발 에, 회사가 선진적인 기술 • 우수한 설계 방안, 정량 설비가공 능력, 전문 시공 팀과 완벽한 애프터서비스.
또 이런 처리제인 산화 칼슘이 되어 입성 입성형을 입성형을 통해 10 칼슘으로 산산화 할 수 있다.이런 상황에서 적당한 온도를 타거나 시간을 선택하면 한 차례의 입자 내부에 수소를 산화시킬 수 있다.
이 같은 처리제의 산화 칼슘이 되도록 산화 칼슘을 통해 수소산화 칼슘으로 전환한 후 수소 산화 칼슘을 재연해 얻을 수 있다.칼슘을 반복하고 있는 산화 산화와 수소 산화 등을 반복해서 한 번 입자 구조를 유지하기 때문에 모르바의 체적이 다르기 때문에 한 번 입자의 표면을 효과적으로 미세공을 형성하기 때문이다.
이 설비 의 폐기 처리 방법 중 에 의해 반도체 제조 장치 가 배출 한 폐기 를 기체 아래 에 직접 상술한 폐기 처리제 를 가스 와 방식 으로 접촉 했 다.이로부터 폐기 속 유해가스 성분과 폐처리제 표면의 수소 산화 칼슘이 반응해 제거된다.폐기 중 독성 기체 성분은 B, A, Ga, In, In, Si, Ge, p, A s 등 20 대 원소족, IVB 족, 또는 Vb 족 원소의 수소화물 및 / / 할로겐화물 등 20 대 원소의 아이덴족, IVB, IVB, A, A, A, A, A, A, A, A, A, A, A, A, A S 등.
이때 화학 반응은 아래와 같이 표시하는 것이다.
CF 4 10 2 CA (오) 2 → 2 CaF 2 + C 0 2 + H 4 (1) 식스+ 2 + 202 + 202 → Cax 0 + 3 0 (2) 2 PH 3 CC (2) 2 PH 3 CC (오) 2 + 42% (P 14) 2 10 (P 4) 2 십 6 H 20 (3) 는 폐기 에 산소를 함유하지 않는 경우 (2), (2), (3) 의 산소, 외부에서 산소를 공급한다.이때 유지 의 최적선 온도 (온도 처리) 는 400 ℃ 이하로 한다.칼슘의 온도가 400 ℃ 를 넘으면, 처리제 분해로 기어를 없앨 수 있다.
이렇게 하면 이 같은 화학 반응은 발열 반응이기 때문에 우선 최적으로 제어하는 것이 아래와 같다. 30 처리 때 가열하지 않고 오히려 냉각되어 규정된 온도에 진행된다.
6 월 5,8,8,8,3,3,3,60,000. 6 / 12 페이지 본 설비의 반도체 제조 장치는 반도체 장치, 평판 디스플레이, 태양에너지, 자성체 박막 등을 제조하는 데 사용되며 화학 가스 침적 (CVD) 반응을 이용하여 이를 제조하는 장치이다.
이 장치의 폐기 처리 장치, 예, 그림 같은 구성: 반응 5. 리액션 1: 폐기 처리 2: 폐기 처리제 2 는 반응부 1 내, 산화 칼슘과 구성: 가져올 관 3 의 폐기 가져오기 제어 부 1 내: 내보내기 관 4. 리액션을 제거합니다.l 부출 기 내외 유해 가스 성분 의 폐기: 및 산소 관 5, 도입관 3 연결 을 반응 에 반응 을 제거 하 게 부 l 산소 했 다.
리액션 1 부, 용기 11, 그리고 용기에 막히는 11 개의 입구부의 12 에서 10 을 구성한다.용기 11, 산화 알루미늄 (alenina), 석영 등 내식성 재료로 구성된 원통 원통으로 구성된 원통 부품이며, 밑바닥 에 5 의 내비판이 형성되어 있으며 다공판 13 을 설치하고, 내부의 폐기 처리제를 채우기 위해 누락된다.
12. 알루미늄, 석영 등 내식성 재료로 구성된 패널의 위젯, 용기 11 에 대한 자유 선적 방식으로 설치되며, 근거에 따라 내부의 폐기 위치에서 15 리제 2 를 교체할 수 있습니다.또 덮개 12 위에 도입관 3 이 형성되어 있다.
또한 컨테이너 11 내에는 상술한 입형처리제 2 를 채워주지만, 이 때 처리제 충전율을 3,770 체적% 로 채우기, 폐기 를 방해하지 않는 순조로운 흐름을 만들 수 있습니다.
반도체 제조 장치 21 폐기, 가져오기 관 3, 반응부 120 곳 가져오기 120 안으로, 이 곳에서 상술한 화학 반응에서 유해가스 성분이 제거되어, 정화된 폐기는 22 에서 끌어내면서 시스템 외부로 배출됩니다.
또 반도체 제조장치 21 폐기 중 함유 s 나 P (P) 등 반응에 산소를 필요로 하는 유해가스 성분을 제거하는 경우 산소관 5 에서 적당량의 산소와 폐기 를 반응하며 l 을 제거한다.