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滑轨式PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区，辉光均匀等效，这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态，这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍，并解决了物料不均匀堆积现象。
1.与传统CVD系统比较，生长温度更低。
2.使用滑轨炉实现快速升温和降温。
3.设备*的技术使得整管辉光均匀等效，均匀生长。
技术参数
产品型号： | BTF-1200C-SL-PECVD |
实验机理： | PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单。 |
技术参数： | 开启式真空管式滑轨炉 反应腔体尺寸：Φ50，Φ60，Φ80，Φ100 加热元件：电阻丝（Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo） 加热区长度：440mm 恒温区长度：200mm（±1℃） 工作温度：1100℃ Z高温度：1200℃ 控温方式：模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能 控温精度：±1℃ 升温速率：10℃/min 炉门结构：开启式 工作电源：AC220V /50HZ 额定功率：3KW |
真空泵和阀门 采用KF25系列波纹管和手动挡板阀； 真空度可达10-3torr； 数显真空测试仪可直观的显示数值。 | |
质量流量计控制气路系统（可来图订制） 内部装有高精度质量流量计可准确的控制气体流量； 气体流量范围可选，误差为±1.5%； 一个气体混气罐的底部安装了液体释放阀； 不锈钢针阀安装在左侧可手动控制混合气体输入。 | |
射频电源与匹配器 电源：单相50/60Hz 220v±10% 加热（功率）电源：2.5KW，25A 控制柜电源空气开关：32A空气开关 薄膜生长室温度：室温~ 1200℃ 射频频率：13.56MHz 射频功率输出范围：5~500W | |
细节展示 |  |
外型尺寸： | 炉体：550×380×600mm 炉体加滑轨1500x380x620mm 供气及真空系统：600×600×600mm |
净重： | 150Kg |
认证和 |  CE认证号：ZL.0 （产品 ，防伪必究） |
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