2022薄膜技术

薄膜

薄膜技术旨在开发和应用0.18微米以下，ulsi工艺所需的成膜沈积技术包括金属导线技术、介电层技术和平坦技术。在金属导线技术方面，主要研发铜导线沈积技术。根据半导体工艺的发展趋势，将开发高电浆密度物理金属沈积技术、电化学沈积技术和化学气相沈积技术。在介电层技术方面，主要分为先进的介电值沈积技术和低介电常数膜成膜技术。先进的介电质沈积技术是开发高密度电浆化学气相沈积，介电质抗反射层氟掺杂玻璃蚀刻屏障层0.18微米介电层沈积技术；低介电常数膜主要用于高速组件传输延迟、功耗和干扰。本计划将研究该新材料的成膜应用。平面技术主要开发化学机械研磨相关技术，研发金属和介电质研磨和研磨后清洁技术，研究研磨终点检测技术的平面模拟、研磨后腐蚀和氧化防治。

本区机器运行时，需要将机器抽入真空，也称为真空区。真空区的机器主要用于沈积和离子植入，即wafer覆盖一层薄薄的薄膜，所以叫做「薄膜区」。真空区有一站称为晶圆允收区，可以接受芯片测试。对于我们制造的芯片，工程师应根据其经验和电子知识进行全过程测试，并根据电气测量值的变化判断相关过程是否有异常。这种 测试不同于测试区（wafer probe）前者为细节电子特性测试 和物理特性测试，后者为产品电气功能测试。